RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,109.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
60
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,162.7
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,109.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
2605
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link