Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

总分
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

总分
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 16.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,109.3 left arrow 12.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 60
    左右 -94% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    60 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    4,162.7 left arrow 16.6
  • 写入速度,GB/s
    2,109.3 left arrow 12.5
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    784 left arrow 2605
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较