RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
3178
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link