RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
39
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3178
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link