RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link