RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
52
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
52
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2306
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston K000MD44U 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link