RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3272
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link