RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
64
Autour de -137% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3514
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link