RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
64
Около -137% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3514
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link