RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
26
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3169
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link