RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
16800
Около 1.14% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
16800
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link