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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 30
    周辺 20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 16800
    周辺 1.14% 高帯域
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 2318

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

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