Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Inmos + 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Inmos + 256MB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 30

Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 11.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 9.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 16800

Intorno 1.14% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Inmos + 256MB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Inmos + 256MB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns