RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
16800
Por volta de 1.14% maior largura de banda
Razões a considerar
Inmos + 256MB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
16800
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link