RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2563
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link