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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de -31% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2763
2563
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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