Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15.4 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.5 left arrow 9.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 34
    Около -31% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.4 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.5 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2763 left arrow 2563
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения