RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link