RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link