RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link