RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link