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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
15.4
13.4
写入速度,GB/s
11.5
9.9
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
2563
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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