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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2763
2563
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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