RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2196
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link