RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
39
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
24
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3257
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link