RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
27
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2687
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link