RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
106
Autour de 53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
106
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
1252
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link