RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 106
    Около 53% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 13.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 5.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    50 left arrow 106
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.3 left arrow 13.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.9 left arrow 5.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2512 left arrow 1252

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
модули RAM