RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
106
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
106
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
1252
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link