RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
106
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
106
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
1252
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link