RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
44
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
44
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2191
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link