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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比較する
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
総合得点
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
総合得点
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
44
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.9
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
1,597.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
44
読み出し速度、GB/s
5,022.9
14.9
書き込み速度、GB/秒
1,597.0
11.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
753
2191
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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