RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2532
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link