RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2532
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link