RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
63
Autour de -174% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
23
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
3171
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaison des RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link