RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3171
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Mushkin 996902 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link