RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3171
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link