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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
83
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
83
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
1774
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaison des RAM
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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