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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
83
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
83
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
1774
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparações de RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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