RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3767
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link