RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2623
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link