RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3767
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link