RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
3606
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link