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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
1699
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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