RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2478
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link