RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2517
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link