PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Note globale
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Note globale
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Autour de 4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.8 left arrow 12.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 8.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.8 left arrow 12.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2274 left arrow 2018
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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