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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Différences
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Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
4052
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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