RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2475
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link