RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2475
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link