RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2742
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link