RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2423
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link