RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2834
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link