RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
34
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2516
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link