RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2501
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link